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MINI-CIRCUITS開(kāi)關(guān)ZX80-DR230-S+
- 品牌：MINI-CIRCUITS
- 型號：ZX80-DR230-S+
- 下載： MINI-CIRCUITS-開(kāi)關(guān)-ZX80-DR230-S+.pdf
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產(chǎn)品介紹
ZX80-DR230-S+是一款50Ω高隔離度SPDT RF開(kāi)關(guān)，專(zhuān)為無(wú)線(xiàn)應用而設計，涵蓋了直流至3GHz的寬頻率范圍，插入損耗低。 ZX80-DR230-S+可在單個(gè)電源電壓范圍為+ 2.7V至+ 5V。 該單元包括一個(gè)帶有兩引腳控制的內部CMOS控制驅動(dòng)器。ZX80-DR230-S+使用獨特的外殼包裝生產(chǎn)，堅固耐用，可在惡劣環(huán)境下操作。
性能特點(diǎn)
整個(gè)頻率范圍內的低插入損耗
整個(gè)頻率范圍內的高隔離度
高輸入 IP3，+55 dBm typ.
單一正電源電壓，+2.7V 至 +5V
獨特的設計--同時(shí)關(guān)閉 RF1 和 RF2
堅固的一體式外殼
技術(shù)參數
產(chǎn)地：美國
VDD，電源電壓：2.7-5.0 V
電源電流（VDD = 5V）：0.5-1.0 mA
控制電壓低：0.4 V
控制電壓高：2.4 V
控制電流（每個(gè)引腳）：0.5 - 1.0 mA
切換時(shí)間，50% CTRL 至 90/10% RF：2.0 µSec
視頻饋通，5 MHZ - 1000 MHz：15 mVp-p
工作溫度：-40°C 至 85°C
存儲溫度：-55°C至100°C
VDD，電源電壓：-0.3V Min. 6V Max
控制電壓：-0.3V Min. 6V Max
ESD，HBM：1000V
射頻輸入功率
當公共端口與 RF 端口（RF1 或 RF2）連接時(shí)：+33dBm
RF 端口（RF1 或 RF2）未連接至公共端口時(shí)：+24dBm
當公共端口未連接至 RF1 或 RF2 時(shí)：+24dBm
重量：56.0
產(chǎn)品尺寸
|
單位 |
A |
B |
C |
D |
E |
F |
G |
H |
J |
K |
L |
M |
N |
P |
Q |
R |
S |
|
英寸 |
1.780 |
0.110 |
0.115 |
0.750 |
0.106 |
0.430 |
0.100 |
0.270 |
0.350 |
0.500 |
0.420 |
0.610 |
0.370 |
0.500 |
0.400 |
0.500 |
0.380 |
|
毫米 |
45.21 |
2.79 |
2.92 |
19.05 |
2.69 |
10.92 |
2.54 |
6.86 |
8.89 |
12.70 |
10.67 |
15.49 |
9.39 |
12.70 |
10.16 |
12.70 |
9.65 |
規格參數
|
參數 |
條件 |
Min |
Typ. |
Max |
單位 |
|
工作頻率 |
|
DC(note 3) |
|
3000 |
Mhz |
|
插入損失 |
1 GHz 2 GHz 3 GHz |
|
0.7 0.9 1.2 |
1.3 1.6 1.8 |
dB |
|
公共端口和RF1ARF2端口之間的隔離
|
1 GHz 2 GHz 3 GHz |
55 46 35 |
64 50 44 |
|
dB |
|
RF1和RF2端口之間的隔離 |
1 GHz 2 GHz 3 GHz |
60 54 37 |
63 60 48 |
|
dB |
|
普通端口回波損耗
|
1 GHz 2 GHz 3 GHz |
|
20 17 15 |
|
dB |
|
RF1 / RF2端口的回波損耗
|
1 GHz 2 GHz 3 GHz |
|
17 15 15 |
|
dB |
|
InputIp2 （注1） |
5 MHz - 1000 MHz |
|
+80 |
|
dBm |
|
輸入IP3 （注1） |
10 MHz - 3000MHz |
|
+55 |
|
dBm |
|
輸入1dB壓縮 （注釋1,2） |
1000 MHz |
+28 |
+31 |
|
dBm |
津公網(wǎng)安備12010102000946號
